常圧MOCVD法によるPbTiO_3薄膜の合成
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概要
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PbTiO_3 films were prepared by simultaneous deposition; of TiO_2 and PbO on heated substrates under atmospheric pressure. Titanium tetra-isopropoxide and tetra-ethyl lead were used as source materials. For estimating the optimum condition on the preparation of PbTiO_3 films, the deposition behavior of TiO_2 and PbO was examined independently The ilms obtained at. 500°-600℃ consisted of PbTiO_3 of perovskite structure. The rate of film deposition at 600℃ was 200Å/min, about ten times faster than that by conventional sputtering method. Si(100), sapphire (0001) and MgO(100) were used as substrates, and the films on MgO(100) showed strong c-axis orientation. The dielectric constants of the films on Si were 100-130, in agreement with the value of ceramics or sputtered films.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1988-06-01
著者
-
西脇 彰
中部大学工学部
-
冨田 勝彦
(株)堀場製作所RITE-吉祥院第2研究室
-
岡田 勝
中部大 工
-
岡田 勝
中部大学工学部工業化学科
-
村上 昌彦
中部大学工学部工業化学科
-
岡田 勝
中部大学工学部 応用化学科
-
冨田 勝彦
(株)堀場製作所
-
渡辺 大晃
中部大学工学部工業化学科
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