MOCVD法によるPLZT超薄膜のDRAMキャパシタ-としての基礎特性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- MOCVD法により生成したTa2O5薄膜の電気伝導
- CVDおよびスパッタリング法による酸化タンタル薄膜の性質
- MOCVD 法による LiNbO_3 薄膜の合成
- MOCVD法によるPLZT超薄膜のDRAMキャパシタ-としての基礎特性
- MOCVD法によるPLZT薄膜の組成とDRAMキャパシターとしての基礎特性
- CaS 粒子の酸化反応に及ぼす反応温度, 酸素分圧, CaS 初期含有率および粒子径の影響
- 2-6.アドバンストPFBCにおけるCaSの酸化反応に関する研究(Session(2)石炭利用)
- 常圧MOCVD法によるPbTiO_3薄膜の合成
- PZT 系強誘電体薄膜の化学気相成長
- MOCVD法によるPLZT超薄膜の作製とDRAMキャパシターとしての基礎特性
- ハロゲン化物イオン選択性電極電位におよぼすpHの影響
- イオン選択性電極の選択係数の決定