岡田 勝 | 中部大 工
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概要
関連著者
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岡田 勝
中部大 工
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岡田 勝
中部大学工学部工業化学科
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岡田 勝
中部大学工学部 応用化学科
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佐藤 厚
中部大
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佐藤 厚
中部大学工学部応用化学学科
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岡田 勝
中部大
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井戸 敏之
中部大学 工学部
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井戸 敏之
中部大学工学部電気工学科
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二宮 善彦
中部大
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二宮 善彦
中部大学工学部応用化学科
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後藤 英雄
中部大
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富永 浩二
中部大学工学部工業化学科
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松下 寛
中部大学工学部応用化学科
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岡田 勝
中部大学 工学部
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小林 一三
日本酸素株式会社つくば研究所
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後藤 英雄
中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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西脇 彰
中部大学工学部
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冨田 勝彦
(株)堀場製作所RITE-吉祥院第2研究室
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橋本 憲次
中部大学工学部 応用化学科
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高木 威
中部大学工学部工業化学科
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二宮 善彦
中部大学 工学部
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中島 裕
中部大学 工学部
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西部 幸伸
中部大学 工学部
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後藤 英雄
中部大学 工学部
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董 〓兵
中部大学工学部 応用化学科
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董 衆兵
中部大工
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董 衆兵
中部大学
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小林 一三
日本酸素株式会社 電子機材事業本部
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村上 昌彦
中部大学工学部工業化学科
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冨田 勝彦
(株)堀場製作所
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渡辺 大晃
中部大学工学部工業化学科
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井戸 敏之
中部大・工
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二宮 善彦
中部大学工学部
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二宮 善彦
中部大学
著作論文
- MOCVD法により生成したTa2O5薄膜の電気伝導
- CVDおよびスパッタリング法による酸化タンタル薄膜の性質
- MOCVD 法による LiNbO_3 薄膜の合成
- MOCVD法によるPLZT超薄膜のDRAMキャパシタ-としての基礎特性
- MOCVD法によるPLZT薄膜の組成とDRAMキャパシターとしての基礎特性
- CaS 粒子の酸化反応に及ぼす反応温度, 酸素分圧, CaS 初期含有率および粒子径の影響
- 2-6.アドバンストPFBCにおけるCaSの酸化反応に関する研究(Session(2)石炭利用)
- 常圧MOCVD法によるPbTiO_3薄膜の合成
- PZT 系強誘電体薄膜の化学気相成長
- MOCVD法によるPLZT超薄膜の作製とDRAMキャパシターとしての基礎特性
- ハロゲン化物イオン選択性電極電位におよぼすpHの影響
- イオン選択性電極の選択係数の決定