MOCVD法により作成したZnSeエピタキシャル膜の拡散長及び深い準位の評価
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概要
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MOCVD(有機金属化学気相)法によりGaAs単結晶基板(100)面上にn型及びp型ZnSeをエピタキシャル成長させた。n型ZnSeのエピタキシャル膜のサンプルとバルク単結晶サンプルの少数キャリアであるホールの拡散長をSBPV(ショットキーバリア光起電力法)で求め,それぞれのホールの寿命を見積もった。またエピタキシャル膜のサンプルでは,拡散長の原料流量依存性と温度依存性についても測定を行った。さらにp型ZnSeエピタキシャル膜の深い準位についてDLTS法により行い,異なる3つのホールトラップを検出し,それぞれの熱活性化エネルギーを求めた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-19
著者
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