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NEC ULSIデバイス開発研究所 | 論文
- S字形状活性層による SSC 付き光アンプゲートの消光比向上
- 2.5Gb/s DFB/MOD の通常分散ファイバー800km伝送
- 低電流駆動スポットサイズ・変換部付き半導体光アンプゲート
- MOVPE選択成長を用いた光変調器集積化光源
- 10Gb/s光通信用バタフライ型EA変調器集積光源モジュール
- アクセス系向け送受信半導体光集積素子の開発状況
- プリバイアス印加による変調器集積化光源のブルーチャープ機構の解析とトレランスの検討
- MOVPE選択成長を用いたInP系8×8スターカップラ
- 1.3μm帯フォトダイオードを分波フィルターとする1.3/1.55μm双方向WDM通信用光集積素子の検討
- EA変調器の順方向自己バイアス現象によるチャーピングの増大とその抑制
- 選択MOVPEを用いた双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
- バンドギャップ制御選択MOVPEによる10Gb/s用変調器集積化光源
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
- DFB-LD/変調器集積化光源における低電圧・高出力化の検討
- 低電圧駆動・高出力DFB-LD/変調器集積化光源
- オフセットバイアス・フリーでプッシュプル駆動可能な半導体Mach-Zehnder変調器
- 選択MOVPE法による低動作電流型LDアンプアレイ
- 吸収変化を伴うMQW Mach-Zehnder変調器におけるチャーピングの解析