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NEC ULSIデバイス開発研究所 | 論文
- 42%付加電力効率を有する26GHz帯高出力HBT
- 再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTの ベースコンタクトの検討
- 10Gb/sフレーム検出機能付きバイト同期DMUX
- 小型・低コスト光受信モジュール用2.4Gb/s 2R 1チップIC
- SiGe-ICを用いた20 Gb/s光送受信器(長距離・大容量光通信技術論文小特集)
- 2.4Gb/s光通信用1チップレシーバIC
- Si-lCを用いた20Gb/s光送受信器
- 20Gb/s光送信器用SiGe-HBTディジタルIC
- 20Gb/s光受信器用アナログSi-IC
- 2.5Gb/s L帯WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの伝送特性
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- スポットサイズ変換器集積ASM-LDの高温低電流動作
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
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- SC-3-6 WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの波長分布制御
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
- 光ゲート用SSC-SOA
- 低消費電力(10mW)光アンプゲートモジュール