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NEC ULSIデバイス開発研究所 | 論文
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- 1.3μm帯歪補償MQWλ/4シフトDFB-LDによる広温度範囲2.5Gb/s-51km伝送
- 全MOVPE選択成長による, 1.3μm 帯歪MQW-BHレーザ
- 耐環境性1.3μm帯歪MQWλ/4シフトDFB-LD
- 1.65μm帯OTDR用半導体レーザ
- C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
- Electroreflectance法によるGaAs-MIS界面評価
- C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
- 35V動作高出力FPFET
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- 新構造GaAs高出力FPFET
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- 1993年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウ報告
- LSI歩留まり低下の前駆現象検出技術 : 不規則性/規則性不良分布の特徴解析
- アルゴリズム選択によるメモリLSI不良解析の最適化
- 35GHz帯1W高出力HBT増幅器
- 高出力・高効率K帯HBT