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NEC ULSIデバイス開発研究所 | 論文
- 1.8GHz 1.6V MOS電流モード(MCML)フリップフロップ回路
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- KrF 露光における段差上反射の検討
- サブクォーターミクロン光リソグラフィーにおける焦点深度向上技術
- C-10-6 正電源動作低雑音HJFETの低ソース抵抗化
- X帯MMIC用単一正電源動作FET
- GaAsLSI用HJFETのVt高制御化
- 10 Gbps光伝送用ECL互換GaAs 8:1 MUX/1:8 DEMUX
- 3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET
- ECL互換GaAs HJFET 10Gbps 8:1 MUX/1:8 DEMUX
- ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- 低消費電力LSI用PM-HJFETの試作検討
- 12-GHz帯YBCO共振器-AlGaAs/GaAs HBTハイブリッド発振器
- 疑似電源線クランプ方式を用いた低Vt CMOS回路向けパワーダウン構成
- ビット線と疑似GND線のイコライズによるSRAMの小振幅書き込み方式
- 低電圧SRAMマクロの速度ばらつき低減設計法
- コンパイルドSRAMマクロの低消費電力化
- ソース電極バイアホールを有する0.18μmAu/WSiゲートHJFETによるミリ波帯MMIC技術
- 0.18μm WSi AlGaAs/InGaAs HJFETによるミリ波帯MMIC技術
- 0.25μm WSi AlGaAs/InGaAs HJFETを有するミリ波帯MMIC技術