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NECマイクロエレクトロニクス研究所 | 論文
- 圧縮/伸張器混載DRAMの開発(1)
- 順序付きマルチスレッド実行モデルの提案とその評価
- オブジェクト指向によるアーキテクチャ評価シミュレータ設計手法の検討
- スレッドレベル並列処理アーキテクチャの一検討
- 1.5V 8b 8mW BiCMOSビデオA/Dコンバータ ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- フルカラーTFT-LCDドライバ用8ビットDAC
- 3.3V256階調TFT-LCDドライバ
- O.4μm BiCMOSプロセスを用いた高速、低電力比較器
- 2V,10b,20Msps電圧・電流モード混在直並列CMOS A/D変換器
- 61%付加電力効率を有するディジタル携帯電話用高出力AlGaAs/GaAs HBT
- ディジタル携帯電話用高効率・高線形高出力AlGaAs/GaAs HBT
- 移動体通信用パワーHBTの熱解析と電力特性
- 低電圧・高効率動作L帯パワーAlGaAs/GaAsHBT
- TiSi_2 膜形成における Si表面アモルファス化の効果とSEDAM法
- ビット線上に容量を配置した強誘電体メモリセル構造(F-COB)
- 0.15μm CMOSトランジスタの特性
- 順序付きマルチスレッドアーキテクチャのプログラミングモデルと評価
- 3Gb/s CMOS 8:1マルチプレクサ
- 高耐雑音、適応型ゲインVCOを用いた0.18μm CMOSホットスタンバイPLL
- 分極電荷中和構造を用いた高い閾値制御性を有するAlGaN/GaN HFET