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株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター | 論文
- SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- モジュールの電圧/周波数を動的に制御したH.264/MPEG-4 Audio/Visual Codec LSI(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- 35nsサイクルタイムを達成した3.3V単一32Mb NANDフラッシュメモリ
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- Bitline/Plateline Reference-Level-Precharge Scheme for High-Density ChainFeRAM(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- 画像認識プロセッサViscontiと、その安心・安全への適用事例(テーマ関連/オーガナイズドセッション2)
- 画像認識技術の車載応用
- 車載画像処理用システムLSIによる衝突防止システム
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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