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株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター | 論文
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- Multi-stacked 1G cell/layer pipe-shaped BiCS flash memory (集積回路)
- A Single-Chip MPEG-2 Codec Based on Customizable Media Microprocessor
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 三次元NANDフラッシュメモリに最適な縦型アレイデバイス開発(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ある半導体メモリ設計者から見た磁性体への期待
- STT-MRAMに向けた低読出し電圧・高速センスアンプの検討(新メモリ技術とシステムLSI)
- SOI上に形成された1Tゲインセル(FBC)を使ったメモリ設計 : 4F^2サイズの新原理メモリセルの提案
- CT-1-4 3次元積層化NANDフラッシュメモリについて(CT-1.エマージングメモリと3次元集積メモリ,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 超高密度を実現する三次元フラッシュメモリー
- 可変リファレンス回路とダブルワード線パルス回路を搭載した3V動作1T1C型1Mビット強誘電体メモリ
- コンフィギュラブルプロセッサによる画像認識プロセッサの開発(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
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- コンフィギュラブルプロセッサMePとそのSoC開発事例(コンフィギャラブルプロセッサ, FRGAとその応用及び一般)
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- FBCを用いた333MHzランダムサイクルDRAM(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
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