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株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター | 論文
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- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- コンフィギュラブルプロセッサMePとそのSoC開発事例(コンフィギャラブルプロセッサ, FRGAとその応用及び一般)
- Multi-stacked 1G cell/layer pipe-shaped BiCS flash memory (集積回路)
- 大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- Chain FeRAM技術と将来展望(新メモリ技術とシステムLSI)
- Bitline/Plateline Reference-Level-Precharge Scheme for High-Density ChainFeRAM(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- A 32Mb Chain FeRAM with Segment Stitch Array Architecture
- 8Mb Chain Ferroelectric Memory〔和文〕 (特集 メモリ・混載メモリ及びIC一般)
- クロスポイント型セルに対応した2層ビット線構造をもつDRAM array
- SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
- 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- 画像認識プロセッサViscontiと,その安心・安全への適用事例(安心・安全のためのCV)
- 画像認識プロセッサ Visconti と, その安心・安全への適用事例
- コンフィギュラブルプロセッサによる車載用画像認識LSI(回路技術(一般、超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- コンフィギュラブルプロセッサによる車載用画像認識LSI
- 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)