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株式会社日立製作所半導体事業部 | 論文
- ボロンガスクラスターイオンビームドーピングによるPMOSFETのエクステンション形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- Si上極薄SiO_2膜帯電のX線照射時間依存性
- 3V単一電源64Mビットフラッシュメモリ用AND型セル
- ファイル応用を指向した256MビットDRAMの回路技術
- 高速/高信頼性130nm-node MRAM(新型不揮発性メモリ)
- 高速/高信頼性 130nm-node MRAM
- フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- はんだボール接合部の寿命評価
- 3.3V単一電源、16MビットDINOR型フラッシュメモリ
- ハイブリッドトレンチ分離SOIデバイスにおけるボディ電位制御技術(半導体Si及び関連材料・評価)
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 21世紀に向けた半導体メモリの技術課題とロードマップ