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東芝 Soc研開セ | 論文
- SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
- 薄膜SOI素子におけるソース/ドレイン間リーク電流の解析
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
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- SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響
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- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
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- SOI基板材料の品質評価と技術課題
- サブ100nm時代の低リーク・低電力技術(パネルディスカッション)
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- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
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- サブ50nm時代の切り札SOI : SOIがBulkに勝てる技術はこれだ!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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- アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響
- チャネル長0.1μmSOI MOSFETにおけるself-heatingの影響考察