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東芝 Soc研開セ | 論文

• 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
• ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
• SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
• 1)電子線アニール技術を用いた三次元イメージプロセッサの試作と評価(テレビジョン電子装置研究会)

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