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東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー | 論文
- 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 硬X線光電子分光法を用いた半導体デバイスの分析
- ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
- 高精度拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたSRAM不良ビットの直接観察及びメカニズム解明 (シリコン材料・デバイス)
- シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズのばらつきの影響評価とポテンシャル分布
- シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズのばらつきの影響評価とポテンシャル分布
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 異方性エッチングにより作製したシリコン単電子トランジスタの室温動作 (マイクロマシン特集号)
- Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
- 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
- 単結晶浮遊ゲート電極を用いた不揮発性メモリセルの検討
- A-1-27 Random Greedy手法を用いた耐欠陥3Dクロスバーバス回路(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- ポストシリコン素子の3次元ナノアーキテクチャ (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
- ヘリウム一貫プロセスによる poly-Si/high-κ 絶縁膜/SiO_2/Si構造のシリサイド化抑制
- CNT(カーボンナノチューブ)素子大規模集積化に向けての展望と課題(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design : カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design : カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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