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東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー | 論文
- 不純物偏析ショットキー接合を用いた高駆動電流トランジスタの開発
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 不純物偏析ショットキー接合トランジスタ
- 不純物揺らぎが金属半導体接合の輸送に与える影響(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
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- 24aYK-7 CBED法を用いたデバイス中の歪分布測定(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 低誘電率膜中の炭素種に対するプラズマプロセスの影響
- 21aYM-10 デバイス中の不鮮明なHOLZ線の解析(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 二重Si量子ドットメモリにおける量子ドット径の微小化と不揮発性の実証
- Ba_Sr_TiO_3/SrRuO_3キャパシタの膜微細構造
- 0.7nmの極薄膜SOIトランジスタ技術 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
- 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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- 集積シリコン単電子トランジスタ回路を用いた電流スイッチング及びアナログパターンマッチングの室温実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 極微細シリコンドットにおける量子力学的効果を用いた高機能単電子トランジスタ論理の室温実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- 極微細シリコンドットにおける量子力学的効果を用いた高機能単電子トランジスタ論理の室温実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- 極狭細線チャネルを有するシリコン微結晶MOSFETメモリ
- 極狭細線チャネルを有するシリコン微結晶MOSFETメモリ
- 減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特性
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