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東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー | 論文
- 減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特性
- 23pRJ-3 第一原理計算によるSiON膜のデザインと実現(実在表面・機能表面の物理,シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 第一原理計算によるSi表面酸化過程の考察
- 分析電子顕微鏡による半導体材料の評価
- 特定箇所2次元キャリア分布計測技術と故障解析への応用
- 高精度拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたSRAM不良ビットの直接観察及びメカニズム解明(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 65nmCMOS以上の世代におけるマルチコアプロセッサ向け3次元回路の性能評価(3D-II,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
- 招待講演 ノーマリオフプロセッサ実現に向けた不揮発メモリの課題と展望 : 『不揮発ロジックのジレンマ』を如何に解決するか? (集積回路・集積回路とアーキテクチャの協創 : ノーマリオフコンピューティングによる低消費電力化への挑戦)