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日本電気株式会社システムデバイス研究所 | 論文
- 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
- Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 実用化に向けた高温超伝導材料技術の構築
- 0.1μm ULSI世代の超微細アルミニウム多層配線を実現するAl-CMP技術
- 新核形成法によるバリヤ層のないCVD-Al埋込配線形成
- 3. 45nm/32nm世代ULSI対応の最先端配線技術(次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術)
- 2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- HDTV用200万画素FIT-OODイメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- CS-4-7 高速・大容量データ通信用VCSEL(CS-4. 応用分野が広がる面発光レーザ(VCSEL)技術の最新動向, エレクトロニクス1)
- 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- GaAsSb/GaAs量子井戸を用いた1.3μm帯面発光レーザ特性
- GaAsSb系長波面発光レーザ
- GaAsSb/GaAs系長波VCSEL
- GaAsSb系長波長半導体レーザ
- InAsP/InAlGaAs系量子井戸のGSMBE成長と評価
- InAsP/InAlGaAs系量子井戸のGSMBE成長と評価
- CS-4-4 インナーストライプ型青紫色半導体レーザの高信頼動作(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
- 飽和V_ばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))