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日本電気株式会社システムデバイス研究所 | 論文
- 2.2 SiO_2/Si中水素のLSI長期信頼性への影響(セッション2「故障解析・デバイス(1)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
- 2-2 SiO_2/Si 中水素の LSI 長期信頼性への影響
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- フレキシブル基板プラットフォーム上のシングルモードファイバ直接結合10Gbps VCSEL-TOSA(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス, 光集積回路, 一般)
- 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
- Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
- (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案
- インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第2報 基本構成
- インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第1報 基本概念
- MRAMの特徴とMRAM技術
- 機能論理検証問題における組合せ問題の利用 : 充足可能性問題を解法エンジンとして利用する世界(グラフ, ペトリ, ニューラルネット及び一般)