スポンサーリンク
日本電気(株)システムデバイス研究所 | 論文
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- 組成制御Niフルシリサイド電極とHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜を用いた低消費電力MOSトランジスタ (特集 次世代半導体製造のための新プロセス技術・新材料)
- オフトラックノイズ特性に及ぼす記録ヘッドの影響
- Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
- 不活性化による格子間シリコンの放出を考慮したヒ素のペア拡散モデル
- イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討
- 24pYQ-9 ナノスケール磁性体の磁気特性における温度依存性
- Ferroelectric Memory Circuit Technology and the Application to Contactless IC Card(Special Issue on Advanced Memory Devices Using High-ε and Ferroelectric Films)
- 29p-J-4 ナノスケール磁性体の磁気特性 II
- 26p-YJ-1 ナノスケール磁性体における磁気特性
- HfO_2/SiO_2界面の熱安定性のHAADF-STEM評価 : Hf分布の定量的測定と拡散係数の決定
- Si酸窒化膜/Si(001)界面研究の最近の展開
- Sio_2/Si 界面構造の原子スケール直接観察
- 22aWB-9 SiO_2/Si(001)界面構造の原子スケール直接観察
- HREM断面観察を用いたSiO_2/Si界面平坦性の定量測定
- 1GビットDRAM用極薄Ta_2O_5膜形成技術