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日本電気(株)システムデバイス研究所 | 論文
- 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄シリコン酸窒化膜欠陥の微視的構造の評価
- 共鳴核反応法で見るSiO_2/Si界面近傍の水素の挙動
- Si 基板上の Al 膜配向性がショットキー特性に及ぼす影響
- 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
- 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 28a-ZS-6 TaXのX線吸収体としての特性
- フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- GIDLを考慮したLSTP向けFinFETの設計(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 512KbクロスポイントセルMRAM(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)
- スピントンネル素子を用いた1 bit MRAMの検討
- 超伝導論理回路の高速動作実証のためのクロック・ドリブン・オンチップ・テスト
- ジョセフソン高速信号発生回路の提案と評価
- 超伝導ネットワークシステムスイッチングノードの動作実験
- 超伝導データ交換スイッチの基本動作実験
- サーマルカレントに起因した磁束トラップの評価