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日本大学電子工学科 | 論文
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- MOS構造における重イオン照射誘起電流
- 傾斜エッチング法を用いたMetal-Nitride-Oxide-Si構造絶縁膜中の固定電荷分布及び電荷量の絶縁膜厚依存性評価
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱処理効果
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流とメモリ特性劣化
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果
- MOS構造のγ線照射前後での酸化膜中電荷分布評価
- C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- Jet Vapor Deposition法により作製したSiC-MOS構造の電気的特性
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の評価
- MOS構造の重イオン照射誘起電流及びトータルドーズ効果(半導体材料・デバイス)
- 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)