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北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- 電気化学的プロセスによるGaN表面安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- QMESFETの提案と試作
- QMESFETの提案と試作
- ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ED2000-104 Cu/n-InPコンタクトにおける界面反応と電気的特性との関連
- In-Situ 電気化学プロセスを用いた Pt-Gate InP MESFET の製作
- Si界面制御層によるGaAsショットキー障壁高さの制御とその量子構造への応用
- n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- n-InP上のCu-Hfアモルファス合金を用いた高安定なオーミックコンタクトの実現
- CPM2000-81 Al-Mo/n-InPコンタクトにおける電気的特性と界面反応との関連
- ED2000-103 RTA法によるCu-Zr/n-InPオーミックコンタクトの形成
- Cu-Zrアモルファス合金を用いたn-InPへのオーミックコンタクト
- Al/Ti/InPコンタクトにおける界面反応および電気的特性の評価
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- Si界面制御層を用いた化合物半導体量子井戸構造の表面不活性化
- AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))