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北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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- AlGaNショットキー接合の漏れ電流のふるまい(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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- AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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- デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 化合物半導体量子細線および量子ドットの製作
- 新しい界面制御技術による化合物半導体の表面パッシベーションとその量子構造への応用
- 薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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- 超高真空対応非接触容量-電圧法による水素終端Si表面の評価
- Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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- GaNと関連材料の表面の性質とその制御
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- AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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