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北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaN電子デバイスにおける絶縁膜界面制御
- 超薄膜シリコン界面制御層によるInP表面の制御
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価
- 窒化物半導体電子デバイスにおける表面制御
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価
- ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価
- 電気化学プロセスによるInP系化合物半導体のショットキー障壁高の制御とその機構
- In-situ電気化学プロセスによるInP系化合物半導体への高いショットキー障壁形成
- AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価
- AlInN/GaN系ヘテロ構造の表面・界面評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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