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北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
MBE低温成長GaAsの主要電子トラップ
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