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ルネサス テクノロジ | 論文
- 低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 常温接続によるシリコン貫通電極チップ三次元化技術(SiP (System in Package)技術,先端電子デバイスパッケージと高密度実装プロセス技術の最新動向論文)
- 常温接続によるシリコン貫通電極チップ三次元化技術(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- 広帯域BPSK CMOS復調回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 飛行時間型二次イオン質量分析によるNi_2Si-NiSi相変化の解析
- 合金シードを用いるめっき銅薄膜のキャラクタリゼーション(機能性界面と分析化学)
- フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 高誘電体酸化物 / シリコン界面の創りこみ技術
- マトリクス構造超並列プロセッサMX-1のプログラム開発手法(超並列SIMDプロセッサ,先端的コンピュータシステム技術及び一般)
- Matrix Processing Engineのメディア処理アプリケーションによる性能評価(リコンフィギャラブルシステム,一般)
- 単純なSIMD演算の組み合せによる高速実数演算の実現(デバイスアーキテクチャII, リコンフィギャラブルシステム, 一般)
- システムレベル設計に向けたFPGA応用教材の開発(FPGAとその応用及び一般)
- Si注入技術を用いたNiシリサイド形成領域制御によるnMOSFETの異常ゲートエッジリーク抑制
- 原材料に起因したHf酸化膜中メタル不純物の分析とTDDB寿命への影響
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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