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(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 | 論文
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- 1.9GHz移動体通信用GaAsSPDTスイッチIC
- 素子間干渉抑制GND付セルを用いたMMIC設計手法
- 低電圧単一動作GaAsパワーアンプMMIC
- A 32Mb Chain FeRAM with Segment Stitch Array Architecture
- 1GビットDRAM用トレンチ・セル技術
- 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
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- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability(新メモリ技術とシステムLSI)
- 950MHz帯センサネットワーク用無線給電整流器の開発(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- リソグラフィー優先設計の6F^2型DRAMセル
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
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- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
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- ピーキング調整機能付きHBT10Gb/sトランスインピーダンスアンプ