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(株)東芝 セミコンダクター社 | 論文
- 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 1トランジスタ/1キャパシタ型及びGAINセル型Chain FRAMの設計法
- 高速不揮発性メモリChain FRAMの設計法
- 高速、高密度Chain FRAMの設計
- 大容量・高バンド幅DRAMを実現する電源ノイズ低減法
- クロスポイント型セルに対応した2層ビット線構造をもつDRAM array
- 1GビットDRAM用トレンチ・セル技術
- 低消費電力DRAMを実現する1/4 Vccビット線振幅方式
- SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
- 超低スタンドバイ電流DRAMの検討
- ポーラス Low-k/Cu 配線におけるダメージ修復技術
- 45nmノード向け高信頼Cuデュアルダマシン配線のためのPVD/ALD/PVD積層バリアメタル構造
- MSQ膜を用いたCuダマシン配線プロセスにおける積層剥がれ現象
- 高性能Cu配線に向けたAlピラー技術
- F_2 (Ar) プラズマ前処理を用いたTiN上への選択Wヴィアプラグ形成
- Radio-over-Fiberにおける5GHz帯FPレーザ直接変調方式 : HiSWANa準拠OFDM信号に対する光伝送特性
- C-14-9 FPレーザ直接変調方式による5GHz帯OFDM信号の光伝送特性
- 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)