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(株)東芝 セミコンダクター社 | 論文
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
- パワー半導体デバイスの最新動向
- セル面積 0.29μm^2 を実現したトレンチ型 DRAM セル技術
- IGBTとMOSFETのシリコン限界特性とその実現に向けた考察
- Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability(新メモリ技術とシステムLSI)
- フラッシュメモリセルアレイ用の新しい評価回路
- フラッシュEEPROMセルの新しいしきい値電圧分布測定方法
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造
- NAND型DRAMにおける折り返しビット線方式の検討
- NAND型セルを用いた256Mb DRAM
- WCDMAダイレクトコンバージョン受信機に適したカットオフ周波数オートチューニングの高速化
- WCDMAダイレクトコンバージョン受信機に適したカットオフ周波数オートチューニングの高速化(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- シリコンの表面マイグレーションを利用した新しい基板エンジニアリング 〜ESS(Empty Space in Siliton) による大面積 SON(Silicon on Nothing)の形成〜
- シリコンの表面マイグレーションを利用した大面積SON(Silicon on Noting)の形成
- ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD-2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
- ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
- 高速低消費電力SOI技術 (特集 先端半導体デバイス技術)
- 配線の信頼性を考慮したギガビットDRAMの設計法