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(株)東芝セミコンダクター社 | 論文
- 高耐圧60V SOI DMOSFET
- Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability(新メモリ技術とシステムLSI)
- ダブルインプラ・マルチエピSJ-MOSFETのオン抵抗のnピラープロファイル依存性
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- シリコンパワーデバイスの現状(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- シリコンパワー素子の現状
- 国際会議レポート : APEC2004
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
- 高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- SiO2膜の化学的機械研磨におけるトライボロジー
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
- 5. 大容量データストレージ技術 5-4 大容量フラッシュメモリ (大規模データ処理を支えるエレクトロニクス : マルチメディア世界の到来に向けて)
- 180ns/Byte高速書き込み可能な120mm^2 64Mビット NAND EEPROM
- フラッシュメモリセルアレイ用の新しい評価回路
- フラッシュEEPROMセルの新しいしきい値電圧分布測定方法
- 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
- 量子閉じ込め効果が薄膜SOI MOSFETの電気特性に与える影響について
- シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子