SiO2膜の化学的機械研磨におけるトライボロジー
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概要
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ULSIの製造工程において、素子及び配線の微細化が進み、リソグラフィーの要求に対応した露光面の平坦化が重要となっている。優れた平坦化を実現する技術として、化学的機械研磨(CMP)が適用されている。より高精度な平坦化を実現するためには、CMPプロセスの本質を明らかにし、研磨液を最適化していく必要がある。本研究ではSiO2膜CMPで実用化されている2種類の研磨スラリーについて、AFMをツールとした実験を行い、研磨面での現象を観察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-11
著者
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宮下 直人
(株)東芝セミコンダクター社
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西岡 岳
(株)東芝機械・システムラボラトリー
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竪山 佳邦
(株)東芝
-
瀬田 聡子
(株)東芝研究開発センター
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西岡 岳
(株)東芝
-
瀬田 聡子
(株)東芝 研究開発センター 機械・システムラボラトリー
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