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(株)東芝セミコンダクター社 | 論文
- NAND型セルを用いた256Mb DRAM
- 適応信号処理の基礎と応用[II] : 適応信号処理のディジタル携帯電話への応用
- [招待論文]適応信号処理の通信への応用 : ディジタル携帯電話への適用事例(ネットワークプロセッサ,通信のための信号処理,及び一般)
- ULSI配線の高信頼化技術
- 結晶制御による金属配線高信頼化技術
- WCDMAダイレクトコンバージョン受信機における直交復調器の送信信号漏洩による特性劣化の抑圧
- WCDMAダイレクトコンバージョン受信機における直交復調器の送信信号漏洩による特性劣化の抑圧(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- B-5-181 Mobile向けテレビ電話(3G-324M)の開発
- MPEG4ビデオ方式の無線伝送性能評価
- NANDフラッシュメモリの動向
- リソグラフィー優先設計の6F^2型DRAMセル
- SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- ESS技術を用いたSON-MOSFETの作成
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- SC-9-6 トンネル効果を利用したシリコン機能デバイス
- シリコンを使った新しい素子をめざして (特集:Siナノデバイス)
- 吸湿によるヴィア不良のメカニズム及び45nm世代多層配線デザインへの影響(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)