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(株)東芝セミコンダクター社 | 論文
- CMOSイメージセンサーにおける低電圧駆動埋め込みPDの解析
- Cu/low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセスの開発(機構デバイス)
- Cu/Low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセス開発 (半導体製造装置関連製品小特集(2))
- Cu CMP後のCu表面解析
- 炭素電極を使用した電解水によるトレンチポリシリコン洗浄プロセスの検討(半導体材料・デバイス)
- ポリシリコンCMPプロセスにおけるディッシングレススラリーの開発
- Cu CMP 後洗浄技術
- CuCMP研磨剤の微視的研磨表面における影響
- 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
- 発振器雑音の線形周期時変モデルに基づくシミュレーション手法
- FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 酸化膜CMPの研磨特性に関する検討および考察
- セル面積 0.29μm^2 を実現したトレンチ型 DRAM セル技術
- TiバリアメタルによるCu配線信頼性向上
- NeXT Computerを用いた音声合成実験環境
- AIP-dbxの実現法
- バンプ接続を用いた12V入力10A級 1chip DC-DC コンバータ