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(株)日立超LSIシステムズ | 論文
- カラムアクセス8.4ns,1.6Gbspデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- 科学計算ソフト複合化支援ミドルウェアを用いたナノテクノロジー分野の連成シミュレーション
- 1D0915 HEWL(Hen Egg White Lysozyme)の活性部位におけるpKa揺らぎの相関解析
- 1D0900 分子動力学法と静電場解析の連続体モデルを結合したHEWL(Hen Egg White Lysozyme)の水素電離係数pKaの複合解析
- プラスマイナス高電圧の発生を可能とした基板制御型チャージポンプ(電子回路)
- GSM用高効率Si-RFパワーMOSFETの開発
- GSM/DCS1800デュアルバンドRF-IC
- GSM端末用1チップRF-ICの開発
- 特異場理論を応用した半導体デバイス無転位設計手法の検討
- 薄膜の内部応力を考慮したトランジスタ構造の応力解析方法の検討
- クエン酸系ウエットエッチングによるトランジスタ直下Via-holeの形成(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 高速DRAMインタフェース用同期タイミング調整回路
- アクセス時間1.9ns高速10ポートSRAM
- C-12-79 高密度2ポートRAM
- CMOS ASIC用書き込み優先型2ポートRAMの高速・低消費電力化回路
- 階層化ワードドライバと位相シフト昇圧回路を用いた512kB 60MHzエンベデッドフラッシュメモリ
- 32ビットRISCマイクロコントローラに内蔵する3.3V90MHzフラッシュモジュール
- 1.8V 800-Mb/s/pin DDR2及び2.5-V 400-Mb/s/pin DDR1の2仕様を1チップで実現した1Gbit DRAMの開発
- 1.8V 800-Mb/s/Pin DDR2及び2.5-V 400-Mb/s/pin DDR1の2仕様を1チップで実現した1Gbit DRAMの開発(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機器用システムLSI及び一般)
- 77GHz帯電力増幅器