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(株)日立製作所デバイス開発センタ | 論文
- 薄型伝送線リードを用いた43Gbit/s伝送対応半導体パッケージ(次世代電子機器における先端実装技術と環境調和型実装技術論文)
- 800Mbit/s/ch×12ch光インタコネクトモジュールの開発
- ファイル用途AND型フラッシュメモリのメモリ動作方式の検討
- 600Mb/s同時双方向I/O回路を内蔵したCMOSゲートアレイ
- 特異場理論を応用した半導体デバイス無転位設計手法の検討
- Ta_2O_5薄膜の結晶化に伴う機械的性質の変化
- アクセス時間1.9ns高速10ポートSRAM
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD-2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- ED2000-117 / SDM2000-99 / ICD2000-53 閾値切り替え技術を用いた450MHz64ビットRISCプロセッサ
- SOI基板を用いたメインフレーム用0.3μm ECL-CMOSプロセス技術
- アクセス時間1.5nsの60ps 11k論理ゲート付256kb BiCMOS SRAM
- 半導体ランプ熱処理装置におけるウエハ均一加熱制御方法の検討
- ランプ熱処理装置におけるウエハ温度分布に及ぼすガス対流の影響の解析 : 熱工学,内燃機関,動力など
- パターン付半導体ウエハ表面の回転塗布膜の乾燥収縮過程の流動形状解析
- LSIチップ内のSOI構造トランジスタ素子の熱解析
- 多層配線構造に対するSOGプロセスの改良
- SFI-5向け低電力データリカバリー回路方式の開発(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SFI-5インターフェース向けCDR用クロック生成回路の設計
- 3V単一電源フラッシュメモリのビット毎制御書換え方式の検討