スポンサーリンク
(株)日立製作所デバイス開発センタ | 論文
- リーク電流低域による256Mb-DRAMの低消費電力化
- ECL 1 Mb Bi-CMOS DRAM の回路設計
- CMOSを融合したアクティブプルダウン論理回路
- W-CVDの優先成長を利用した全面バリアメタル被覆Cu配線( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- ハーフトーン位相シフトマスクを用いたコマ収差測定法の検討
- 極低しきい値MOSを使用した高性能マイクロプロセッサの設計手法
- 極低しきい値MOSを使用した高性能マイクロプロセッサの設計手法
- ED2000-117 / SDM2000-99 / ICD2000-53 閾値切り替え技術を用いた450MHz64ビットRISCプロセッサ
- ED2000-117 / SDM2000-99 / ICD2000-53 閾値切り替え技術を用いた450MHz64ビットRISCプロセッサ
- タイミング自動調整回路を用い構成展開可能な超高速SRAMマクロ
- タイミング自動調整回路を用い構成展開可能な超高速SRAMマクロ
- タイミング自動調整回路を用い構成展開可能な超高速SRAMマクロ
- 高速・低電力強誘電体メモリを実現する新読み出し回路方式
- B-10-96 InP及びSiGe HBT-ICを用いた40Gbit/s光受信器の試作
- グラフィック浮動小数点演算を強化した200MHz1.2W1.4GFLOPSプロセッサ
- グラフィック浮動小数点演算を強化した200MHz 1.2W 1.4GFLOPSプロセッサ
- グラフィック浮動小数点演算を強化した200MHz1.2W1.4GFLOPSプロセッサ
- VLSI配線容量のシミュレーションと評価
- SOI基板を用いたメインフレーム用0.3μm ECL-CMOSプロセス技術
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術