伊藤 憲昭 | 大阪工大 物理
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概要
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伊藤 憲昭
大阪工大 物理
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中井 靖男
大同工業大学
著作論文
- 29a-J-9 アルカリ沃化物結晶における励起子緩和の温度依存性
- 28a-E-8 アルカリハライド結晶中の励起子緩和とスピン状態
- 30p-YL-7 アルカリハライド結晶における正孔、電子-正孔対の自己捕獲過程
- 29a-J-8 KIの3光子共鳴励起下における励起子の超高速緩和過程
- 29a-J-3 フェムト秒領域におけるアルカリ臭化物結晶中の励起子緩和とF中心生成
- 15a-DD-2 アルカリ沃化物における励起子の自己捕獲初期過程
- 1a-P-6 アルカリ沃化物における正孔の自己捕獲初期過程
- 1a-P-2 フェムト秒領域におけるKBrのF中心生成過程 (IV)
- 28a-ZD-12 フェムト秒領域におけるKBrのF中心生成過程(III)
- 28a-ZD-11 フェムト秒領域におけるKIの自己捕獲励起子生成過程III
- 28a-ZD-10 フェムト秒領域におけるRbIの自己捕獲励起子生成過程II
- 28a-E-11 フェムト秒領域におけるKBrのF中心生成過程(II)
- 28a-E-10 フェムト秒領域におけるKIの自己捕獲励起子生成過程II
- 28a-E-9 フェムト秒領域におけるRbIの自己束縛励起子生成過程
- 31p-PSB-47 Si(111)-7x7表面におけるレーザー誘起原子放出 : 放出原子の速度分布
- 29p-Z-21 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 2
- 29p-Z-20 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 1
- 固体の電子励起による大きな原子移動
- レーザー・ビームと非金属固体表面との相互作用
- 31p-J-8 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 31a-S-5 半導体表面上の微量欠陥からのレーザー誘起電子放出
- 30p-S-5 電子励起による半導体表面欠陥原子結合の切断
- 28p-PSB-17 レーザー照射によるSi(100)表面からのSi^o原子放出とSi^+イオン放出との比較
- 28p-PSB-16 Si(100)清淨表面におけるレーザー誘起Si^o原子放出の励起スペクトル
- 28a-YN-7 フェムト秒領域におけるRbCl中のF中心生成過程
- 28a-YN-6 フェムト秒分光法によるNaCl中の自己束縛励起子生成過程
- 28a-YN-5 KBr結晶中の正孔自己束縛の動的過程
- 5a-R-6 半導体におけるレーザー誘起原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-5 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 5a-R-4 Si(100)表面に吸着したSi原子からのレーザー誘起原子放出
- 2a-F-14 フェムト秒領域におけるKCl中のF中心生成過程
- 2a-F-12 CsI結晶における電子正孔対の緩和過程
- 2a-F-11 3光子励起によるアルカリハライド結晶中の励起子緩和II
- 29a-WC-6 Ga(100), (110)表面からのレーザー誘起原子脱離
- 13a-PS-52 半導体のレーザー誘起表面損傷における電子的過程
- 12a-DH-4 Si(100)清浄表面からの欠陥を媒介としたレーザー誘起原子放出
- 12a-DH-3 NaCl(100)表面からの電子励起によるNa原子放出の理論的研究
- 1a-G-2 GaP(110)におけるレーザー誘起Ga原子放出の励起スペクトル
- 1a-G-1 NaCl清浄表面の電子励起による原子放出(その3) : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
- 29p-PSB-19 表面欠陥に起因するレーザー誘起電子放出
- 28p-Z-4 化合物半導体表面の赤外自由電子レーザーによるアブレーション
- 28p-Z-3 GaAs(110)表面からのレーザー誘起電子放出
- 29p-PS-30 半導体表面のレーザーダメージ初期過程
- 29p-PS-26 半導体表面欠陥を媒介とするレーザー誘起原子放出機構
- 27p-ZS-12 GaAs(110)表面におけるレーザ誘起原子放出の励起スペクトル
- 27p-ZS-11 GaP(110) 表面のレーザー誘起原子放出 : アルカリ金属吸着による抑制効果
- 28p-Z-1 Gap(110)表面からのレーザー誘起原子放出 : 微量Ga原子吸着の効果
- 28a-ZF-2 NaCl清浄表面の電子励起による原子放出 : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
- 28a-E-6 アルカリハライド中の自己捕獲励起子におけるハロゲン分子イオンの配向II
- 29a-J-2 NaCl中の自己捕獲励起子の構造と光学的性質
- 15a-DD-3 NaBr中の自己捕獲励起子に対する共鳴ラマン散乱分光
- 28a-ZD-9 アルカリハライド中のハロゲン分子イオン中心の諸性質とその支配要因
- 26p-YN-10 加速イオンによって高密度励起されたアルミナ結晶の誘導幅射と100PS寿命新成分
- 7p-H-10 イオン照射により高密度励起されたアルミナ結晶の100PS高速発光帯
- 28p-Z-2 GaAs(110)表面のレーザー誘起原子放出におけるハロゲン原子吸着効果
- 29a-J-4 アルカリハライド結晶における三重項自己捕獲励起子とF中心生成量の相捕性
- 15a-DD-1 3光子励起によるアルカリハライド結晶中の励起子緩和
- 1a-P-5 アルカリハライド結晶における励起子 : 自己捕獲励起子複合体の格子緩和
- 27p-PSA-22 NaCl清浄表面の電子励起原子放出(その2) : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
- 29p-PS-29 GaAs(110)表面からのレーザー誘起電子放出
- 28a-ZD-13 GaAs中のEL2中心のフォトクエンチングのダイナミクス
- 28p-N-1 アモルファスSiO_2における励起子緩和と構造変化
- 28a-E-7 固体における光誘起原子過程