伊藤 憲昭 | 名大・理
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
伊藤 憲昭
名大・理
-
中井 靖男
名大・理
-
中井 靖男
大同工業大学電気工学科
-
中井 靖男
名大理物理
-
岡野 晃子
日本電子株式会社内新技術事業団高柳プロジェクト
-
岡野 晃子
名大・理
-
服部 賢
名大理
-
服部 賢
名大・理
-
金崎 順一
名大・理
-
伊藤 憲昭
大阪工大 物理
-
谷村 克己
名大・理
-
中井 靖男
名大理
-
山本 剛
名大・工
-
伊藤 憲昭
大阪工業大学物理研究室
-
劉 仁根
Rutgers University
-
Wu Zhen
Rutgers University
-
劉 仁根
名大理
-
Haglund R.F.Jr
ヴァンダービルト大
-
鬼頭 賢信
名大・工
-
松波 紀明
名大・工
-
山下 英彦
名大理
-
山下 英彦
名大・理
-
住 斉
筑波大・物工
-
柴田 浩正
名大・工
-
林 良一
名大・理
-
住 斉
東京大学大学院理学系研究科生物科学専攻人類学教室:筑波大学
-
Matsuura A.Y
名大・理
-
熊崎 吉広
名大・工
-
鈴木 修吾
名大・工
著作論文
- 28p-PSB-17 レーザー照射によるSi(100)表面からのSi^o原子放出とSi^+イオン放出との比較
- 28a-E-5 GaP(110)表面のレーザー刺激脱離 : 励起波長依存性
- 2a-E-2 レーザー刺激脱離による半導体表面欠陥のキャラクタリゼーション
- 2p-N-5 化学物半導体表面の高密度電子励起による原子放出-実験
- 29a-O-4 レーザー誘起GaP表面原子放出の共鳴イオン化法による測定
- 28p-Z-2 GaAs(110)表面のレーザー誘起原子放出におけるハロゲン原子吸着効果
- 27p-C-13 レーザー照射によるGaP表面構造変化
- 2p-K3-6 高エネルギー陽子反射スペクトルにおける弾性散乱ピークを利用した表面解析法(表面・界面)
- 28a-LN-2 GaPの電子励起による大きな格子緩和をともなう準安定中心の生成(イオン結晶・光物性)
- 28a-LN-13 NaClにおける自己捕獲励起子の正孔励起による再配向(イオン結晶・光物性)