28p-PSB-17 レーザー照射によるSi(100)表面からのSi^o原子放出とSi^+イオン放出との比較
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1995-03-16
著者
-
中井 靖男
名大・理
-
中井 靖男
名大理
-
中井 靖男
大同工業大学電気工学科
-
伊藤 憲昭
大阪工大 物理
-
伊藤 憲昭
大阪工業大学物理研究室
-
岡野 晃子
日本電子株式会社内新技術事業団高柳プロジェクト
-
金崎 順一
名大・理
-
岡野 晃子
名大・理
-
劉 仁根
Rutgers University
-
伊藤 憲昭
名大・理
-
Wu Zhen
Rutgers University
-
劉 仁根
名大理
-
中井 靖男
名大理物理
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