岡野 晃子 | 日本電子株式会社内新技術事業団高柳プロジェクト
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概要
関連著者
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中井 靖男
大同工業大学電気工学科
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岡野 晃子
日本電子株式会社内新技術事業団高柳プロジェクト
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中井 靖男
名大理物理
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中井 靖男
名大理
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伊藤 憲昭
名大理
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岡野 晃子
名大理
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服部 賢
名大理
-
伊藤 憲昭
大阪工大 物理
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金崎 順一
名大理
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伊藤 憲昭
大阪工業大学物理研究室
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山下 英彦
名大理
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中井 靖男
名大・理
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石川 憲一
阪大産研
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岡野 晃子
名大・理
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伊藤 憲昭
名大・理
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田口 哲也
名大理
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石川 憲一
名大理
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劉 仁根
名大理
-
服部 賢
名大・理
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金崎 順一
名大 理
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柴田 知典
名大工
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中井 靖男
名大 理
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伊藤 憲昭
名大 理
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岡野 晃子
名大 理
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石川 憲一
名大 理
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金崎 順一
名古屋大学理学部物理教室
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金崎 順一
名大・理
-
劉 仁根
Rutgers University
-
Wu Zhen
Rutgers University
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Singh Jai
Northern Territory Univ.
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柴田 知典
名大理
-
久保 智裕
名大理
-
Matsuura Anne
名大理
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服部 賢
名大 理
-
中井 靖雄
名大理
-
山下 英彦
名大・理
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住 斉
筑波大・物工
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柴田 知典
名大 理
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伊藤 憲昭
大阪工業大学情報科学部
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住 斉
東京大学大学院理学系研究科生物科学専攻人類学教室:筑波大学
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中井 靖男
大同工業大学
著作論文
- レーザー・ビームと非金属固体表面との相互作用
- 31p-J-8 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 30p-S-5 電子励起による半導体表面欠陥原子結合の切断
- 28p-PSB-17 レーザー照射によるSi(100)表面からのSi^o原子放出とSi^+イオン放出との比較
- 28p-PSB-16 Si(100)清淨表面におけるレーザー誘起Si^o原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-6 半導体におけるレーザー誘起原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-5 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 5a-R-4 Si(100)表面に吸着したSi原子からのレーザー誘起原子放出
- 13a-PS-52 半導体のレーザー誘起表面損傷における電子的過程
- 1a-G-2 GaP(110)におけるレーザー誘起Ga原子放出の励起スペクトル
- 29p-PS-30 半導体表面のレーザーダメージ初期過程
- 27p-ZS-12 GaAs(110)表面におけるレーザ誘起原子放出の励起スペクトル
- 27p-ZS-11 GaP(110) 表面のレーザー誘起原子放出 : アルカリ金属吸着による抑制効果
- 29p-BPS-44 レーザー誘起原子放出における表面処理の効果
- 28a-E-6 GaAs(110)表面欠陥からのレーザー誘起Ga原子放出
- 28a-E-5 GaP(110)表面のレーザー刺激脱離 : 励起波長依存性
- 27a-R-4 レーザースパッタリングによるGaP表面アルカリ不純物の高感度測定
- 27a-R-3 GaPの表面高密度励起による原子放出 : 2次元、3次元励起の差異
- 24a-PS-15 GaP(110)表面のおける微量欠陥と吸着酸素原子との相互作用
- 5a-PS-4 飛行時間型質量分析法によるGaP表面レーザー刺激脱離の高感度測定
- 5a-PS-3 GaP表面におけるレーザー刺激脱離の温度効果
- 2a-E-3 GaP表面のレーザー刺激脱離における吸着原子効果
- 2a-E-2 レーザー刺激脱離による半導体表面欠陥のキャラクタリゼーション
- 2p-T-7 レーザー誘起原子放出と表面電子状態
- 2p-T-6 レーザースパッタリングによるGaP表面低濃度欠陥の検出
- 2p-N-5 化学物半導体表面の高密度電子励起による原子放出-実験
- 28p-Z-1 Gap(110)表面からのレーザー誘起原子放出 : 微量Ga原子吸着の効果