岡野 晃子 | 名大理
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概要
関連著者
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伊藤 憲昭
名大理
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中井 靖男
大同工業大学電気工学科
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日本電子株式会社内新技術事業団高柳プロジェクト
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中井 靖雄
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著作論文
- 31p-J-8 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 30p-S-5 電子励起による半導体表面欠陥原子結合の切断
- 28p-PSB-16 Si(100)清淨表面におけるレーザー誘起Si^o原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-6 半導体におけるレーザー誘起原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-5 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 5a-R-4 Si(100)表面に吸着したSi原子からのレーザー誘起原子放出
- 13a-PS-52 半導体のレーザー誘起表面損傷における電子的過程
- 1a-G-2 GaP(110)におけるレーザー誘起Ga原子放出の励起スペクトル
- 29p-PS-30 半導体表面のレーザーダメージ初期過程
- 27p-ZS-11 GaP(110) 表面のレーザー誘起原子放出 : アルカリ金属吸着による抑制効果
- 29p-BPS-44 レーザー誘起原子放出における表面処理の効果
- 28a-E-6 GaAs(110)表面欠陥からのレーザー誘起Ga原子放出
- 27a-R-4 レーザースパッタリングによるGaP表面アルカリ不純物の高感度測定
- 27a-R-3 GaPの表面高密度励起による原子放出 : 2次元、3次元励起の差異
- 24a-PS-15 GaP(110)表面のおける微量欠陥と吸着酸素原子との相互作用
- 5a-PS-4 飛行時間型質量分析法によるGaP表面レーザー刺激脱離の高感度測定
- 5a-PS-3 GaP表面におけるレーザー刺激脱離の温度効果
- 2a-E-3 GaP表面のレーザー刺激脱離における吸着原子効果
- 2p-T-7 レーザー誘起原子放出と表面電子状態
- 2p-T-6 レーザースパッタリングによるGaP表面低濃度欠陥の検出