伊藤 憲昭 | 名大理

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 名大理の論文著者

関連著者

• 伊藤 憲昭

  名大理

• 谷村 克己

  名大理

• 伊藤 憲昭

  大阪工大 物理

• 伊藤 憲昭

  名大工

• 中井 靖男

  名大理

• 中井 靖男

  大同工業大学電気工学科

• 中井 靖男

  名大理物理

• 伊藤 憲昭

  名大・工

• 岡野 晃子

  日本電子株式会社内新技術事業団高柳プロジェクト

• 岡野 晃子

  名大理

• 中村 新男

  名大工

• 松波 紀明

  名大工

• 時崎 高志

  名大工

• 服部 賢

  名大理

• 岩井 伸一郎

  物質研

• 金崎 順一

  名大理

• 岩井 伸一郎

  名大工名大理

• 鈴木 智雄

  名大理

• 伊藤 憲昭

  大阪工業大学物理研究室

• 中山 斌義

  名大・工

• 柴田 隆仁

  名大理

• 松波 紀明

  名大・工

• 時崎 高志

  電総研

• 谷村 克巳

  名大理

• 谷村 克巳

  名大工名大理

• 藤田 哲雄

  名大理

• 牧村 哲也

  名大理

• 伊東 千尋

  名大理

• 曽田 一雄

  名大工

• 森田 健治

  名大工

• 石川 憲一

  阪大産研

• 大脇 健史

  トヨタ中研

• 杉山 輝和

  名大理

• 石川 憲一

  名大理

• 光嶋 康一

  名大・工

• 金崎 順一

  名大工

• 森田 健治

  名大・工

• 伴 雄三郎

  名大工

• 後藤 正浩

  名大工

• 中山 斌義

  名大工

• 福井 稔

  中日本自動車短

• 山村 泰道

  岡山理大

• 秋山 洋

  名大工

• 田口 哲也

  名大理

• 鄭 台洙

  名大工

• 福井 稔

  中日本自動車短大

• 藤田 哲雄

  静岡理工科大

• 岡田 俊治

  中日本自動車短大

• 原 直樹

  名大・工

• 田中 伸治

  名大工

• 沖川 満

  名大・工

• 福井 稔

  中自短大

• 松田 耕自

  日新電機(株)

• 奥 友希

  名大工

• 大脇 健史

  名大・工

• 山下 英彦

  名大理

• 大友 篤

  名大理

• 鈴木 修吾

  名大理

• 鄭 台洙

  名大・工

• 高山 和良

  名大・工

• 青木 正彦

  日新電機(株)

• 劉 仁根

  名大理

• 恵下 隆

  名大・工

• 久保 智裕

  名大理

• 伊東 千尋

  名古屋大学理学部物理教室

• 堀野 裕治

  大工試

• 中川 和道

  名大・工

• 神野 賢一

  和歌山大シス工

• 神野 賢一

  京大理

• 大槻 義彦

  早大理工

• 小島 康一

  名大工

• 松田 耕自

  日新電機

• 恵下 隆

  名大工

• 西村 仁

  阪市大工

• 伊東 千尋

  和歌山大システム工

• 坂田 忠良

  分子研

• 川合 知二

  分子研

• 川合 知二

  大阪大 産科研

• 大野 公隆

  名大工

• 高見 雅之

  名大工

• 沖川 満

  名大工

• 掛布 光孝

  名大・工

• 林 良一

  名大理

• 宮川 草児

  名工試

• 石川 由加里

  名大工

• Shluger A

  ラトヴィア大

• 市川 仁司

  名大工

• 橋本 和仁

  分子研

• 坂田 忠良

  分子科研

• 宮川 草児

  名古屋工業技術試験所

• 鳥海 啓治

  名大・工

• 中村 秀夫

  名大工

• 河合 良一

  早大理工

• 大槻 義彦

  早稲田大 理工

• 杉山 寿伸

  名大理

• 伊東 千尋

  名大工

• 山本 剛

  名大工

• 青木 正彦

  日新電機

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 倫明

  東京都立大塚病院 外科

• 前田 哲利

  名大理

• 伊藤 稔

  信州大工

• 藤原 弘康

  東大院理

• 熊沢 良彦

  名大・工

• 白川 明

  名大・工

• 藤本 文範

  東大教養

• 多賀 康訓

  (株)豊田中央研究所

• 日置 辰視

  トヨタ中研

• 藤田 哲雄

  静岡理工大

• 日置 辰視

  豊田中研

• 宝来 和巳

  福岡大理

• 野田 健治

  原研東海

• 大脇 健史

  (株)豊田中央研究所

• 多賀 康訓

  トヨタ中研

• 岩井 伸一郎

  名大理

• 大原 一樹

  名大理

• 西村 仁

  大阪市大・工

• 伴 雄三郎

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 伴雄 三郎

  名大工

• 伴 雄三郎

  松下電器産業

• 谷 村

  名大工

• サクシナ R.

  名大工

• 山田 雅史

  名大理

• 藤原 弘康

  名大理

• 山田 健治

  名大理

• Singh Jai

  Northern Territory Univ.

• 伊藤 稔

  信州大理

• 柴田 知典

  名大工

• 西田 昭彦

  福岡大理

• 柴田 知典

  名大理

• プーチン ウラジミール

  名大理

• シュルガー アレキサンダー

  名大理

• Haglund R.F.Jr

  ヴァンダービルト大

• 大槻 義彦

  早大理工物理

• 鬼頭 賢信

  名大・工

• 菱田 有二

  三洋電機中研

• 永田 竣嗣

  大阪市大・工

• Williams R.T.

  Wake Forest大

• 長谷部 裕治

  名大・工

• 堀野 裕治

  名大(工)

• 松波 紀明

  名大(工)

• 伊藤 憲昭

  名大(工)

• 堀野 裕治

  名大工

• 高山 和良

  名大工

• 堀野 裕治

  名大・工

• 林 哲介

  京大教養

• 木村 幸広

  名大・工

• 木下 隆司

  名大・工

• 木村 幸広

  名大工

• 竹内 渉

  岡山理大 理

• Matsuura Anne

  名大理

• Ong C.K.

  Singapore大

• Khoo G.S.

  Singapore大

• 中井 靖雄

  名大理

• 浅見 弘志

  名大・工

• 高木 清

  名大・工

• ジョージェフ ムラーデン

  名大理

• 寶来 和巳

  福岡大理

• 平田 光俊

  名大工

• 小島 康一

  名大・工

• 笹島 裕一

  名大理

• 林原 光男

  名大工

• 奥 友希

  名大・工

• 塩野 裕治

  名大・工

• 尾崎 博

  名大・工

• 松田 耕自

  日新ハイボルテージ

• 小矢野 敦

  名大・工

• Stoneham A.M.

  AERE

• Harker A.H.

  Harwell

• Georgiev M

  ブルガリア科学アカデミー

• Stoneham A.m.

  ハウエル研究所

• 小矢野 敦

  名大工

• 野田 健治

  原研

• Harber A.H.

  ハウエル研究所

• 鳥海 啓治

  名大工

• 兵藤 修

  名大理

• 鬼頭 賢信

  名大工

• 中村 秀夫

  名大・工

• 中川 昌土

  名大理

• 菱田 有二

  三洋電機

• 清水 勉

  名大理

• 加藤 隆典

  名大理

• 福井 捻

  中日本自動車短大

• 熊崎 吉広

  名大工

• 竹内 渉

  岡山理大

• 宝来 和巳

  福岡大・理

もっと見る 閉じる

著作論文

• 29a-J-9 アルカリ沃化物結晶における励起子緩和の温度依存性
• 28a-E-8 アルカリハライド結晶中の励起子緩和とスピン状態
• 31p-CK-3 分子内励起及び励起子衝突による1-ハイドロ・ナフチルラジカルの発光
• 31p-CK-2 ナフタリン単結晶中の複合体ラジカルの光吸収スペクトル
• 25a-F-6 イオン注入したアモルファスSiO_2の常磁性欠陥に対するHイオン二重注入の効果 II
• 30p-X-5 Siイオンを注入したアモルファスSiO_2のEPRと光吸収
• 5a-ZC-2 Siイオンを注入したアモルファスSiO_2の常磁性欠陥に対するHイオン二重注入の効果
• 29a-S-4 Siイオンを注入したSiO_2の電子スピン共鳴
• 2p-RJ-14 レーザー光照射による酸化物への不純物原子の注入
• 29a-J-8 KIの3光子共鳴励起下における励起子の超高速緩和過程
• 29a-J-3 フェムト秒領域におけるアルカリ臭化物結晶中の励起子緩和とF中心生成
• 15a-DD-2 アルカリ沃化物における励起子の自己捕獲初期過程
• 1a-P-6 アルカリ沃化物における正孔の自己捕獲初期過程
• 1a-P-2 フェムト秒領域におけるKBrのF中心生成過程 (IV)
• 28a-ZD-12 フェムト秒領域におけるKBrのF中心生成過程(III)
• 28a-ZD-11 フェムト秒領域におけるKIの自己捕獲励起子生成過程III
• 28a-ZD-10 フェムト秒領域におけるRbIの自己捕獲励起子生成過程II
• 28a-E-11 フェムト秒領域におけるKBrのF中心生成過程(II)
• 28a-E-10 フェムト秒領域におけるKIの自己捕獲励起子生成過程II
• 28a-E-9 フェムト秒領域におけるRbIの自己束縛励起子生成過程
• 27a-A-11 フェムト秒領域におけるKBrのF中心生成過程
• 27a-A-10 フェムト秒領域におけるKIの自己束縛励起子生成過程
• 27a-A-9 アルカリハライド結晶の2段階フェムト秒過渡吸収分光V
• 5a-W-12 アルカリハライド結晶の2段階フェムト秒過渡吸収分光 III
• 27p-D-19 MgF_2中の自己捕獲励起子に対する偏光分光
• 26a-X-14 アルカリハライド結晶の2段階フェムト秒過渡吸収分光IV
• 2a-N-8 アルカリハライド結晶の2段階フェムト秒過渡吸収分光 II
• 4a-B-10 アルカリハライド結晶の2段階励起フェムト秒過渡吸収分光
• 4p-TC-7 アルカリ沃化物中の一中心,及び二中心型緩和励起子
• 14p-S-13 アルカリ沃化物におけるπ発光とEx発光
• 31a GB-7 高温におけるKBr中の格子間ハロゲン中心
• 31a GB-6 ヨウ化アルカリ結晶の緩和励起子発光に対するアルカリ不純物の効果
• 31a GB-2 NaCl結晶における高励起三重項緩和励起子の項間交差
• 31p-J-8 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
• 31a-S-5 半導体表面上の微量欠陥からのレーザー誘起電子放出
• 30p-S-5 電子励起による半導体表面欠陥原子結合の切断
• 28p-PSB-16 Si(100)清淨表面におけるレーザー誘起Si^o原子放出の励起スペクトル
• 28a-YN-7 フェムト秒領域におけるRbCl中のF中心生成過程
• 28a-YN-6 フェムト秒分光法によるNaCl中の自己束縛励起子生成過程
• 28a-YN-5 KBr結晶中の正孔自己束縛の動的過程
• 5a-R-6 半導体におけるレーザー誘起原子放出の励起スペクトル
• 5a-R-5 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
• 5a-R-4 Si(100)表面に吸着したSi原子からのレーザー誘起原子放出
• 2a-F-14 フェムト秒領域におけるKCl中のF中心生成過程
• 2a-F-12 CsI結晶における電子正孔対の緩和過程
• 2a-F-11 3光子励起によるアルカリハライド結晶中の励起子緩和II
• 3a-BG-5 アルカリハライド中の緩和励起子とその励起状態
• 13a-PS-52 半導体のレーザー誘起表面損傷における電子的過程
• 12a-DH-4 Si(100)清浄表面からの欠陥を媒介としたレーザー誘起原子放出
• 12a-DH-3 NaCl(100)表面からの電子励起によるNa原子放出の理論的研究
• 1a-G-2 GaP(110)におけるレーザー誘起Ga原子放出の励起スペクトル
• 1a-G-1 NaCl清浄表面の電子励起による原子放出(その3) : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
• 29p-PSB-19 表面欠陥に起因するレーザー誘起電子放出
• 28p-Z-4 化合物半導体表面の赤外自由電子レーザーによるアブレーション
• 26a-O-2 180E散乱陽子エネルギー損失分光法による表面構造解析
• 29a-S-7 高分解能陽子エネルギー損失分光法によるシリコン・金属表面反応の観察
• 29a-S-6 タングステン単結晶表面における陽子エネルギー損失の高分解能測定
• 1a-R-5 エネルギー損失の衝突径数依存性
• 3a-S-3 GaAs,GaPのレーザー照射における雰囲気の影響
• 1p-S-6 高分解能表面散乱イオン解析装置によるシリコン-金属界面反応
• 1p-A-16 アルカリ ハライドにおける一中心型自己束縛励起子の発光
• 1a-A-10 アルカリ・ハライドにおける欠陥生成と、螢光との相補性
• 5p-P-9 高分解能表面散乱イオン解析装置
• 5p-P-8 シリコン表面吸着重水素の電子励起脱離
• 5p-P-7 弾性衝突によるシリサイド生成におけるしきいエネルギー
• 2p-RL-4 ニッケル表面上の偏析不純物のイオン誘起脱離イールドII
• 2p-RL-3 イオン誘起界面反応
• 12p-L-5 レーザ光照射による光分解とトラックエッチング効果
• 11p-G-2 斜入射表面散乱プロトンの高分解能エネルギー分析
• 11p-G-1 ニッケル表面上の偏折不純物のイオン誘起脱離イールド
• 29a-SA-5 界面反応の阻止能依存性
• 30a-F-3 半導体中の重荷電粒子飛跡における電子・正孔のthermalization
• 5a-S-10 発光測定による化合物半導体中のMeVイオンのトラック構造
• 2a GD-9 イオンビーム照射発光によるアルカリハライド表面層中の不純物
• 31p GF-8 イオンビームによるCuClの高密度励起
• 4p-DQ-2 アルカリ・ハライド結晶中のイオンビームによる照射促進拡散
• 4a-DR-14 イオンビームによるCdSの高密度励起
• 29p-PS-30 半導体表面のレーザーダメージ初期過程
• 29p-PS-26 半導体表面欠陥を媒介とするレーザー誘起原子放出機構
• 27p-ZS-11 GaP(110) 表面のレーザー誘起原子放出 : アルカリ金属吸着による抑制効果
• 29p-BPS-44 レーザー誘起原子放出における表面処理の効果
• 28a-E-6 GaAs(110)表面欠陥からのレーザー誘起Ga原子放出
• 27a-R-4 レーザースパッタリングによるGaP表面アルカリ不純物の高感度測定
• 27a-R-3 GaPの表面高密度励起による原子放出 : 2次元、3次元励起の差異
• 24a-PS-15 GaP(110)表面のおける微量欠陥と吸着酸素原子との相互作用
• 5a-PS-4 飛行時間型質量分析法によるGaP表面レーザー刺激脱離の高感度測定
• 5a-PS-3 GaP表面におけるレーザー刺激脱離の温度効果
• 2a-E-3 GaP表面のレーザー刺激脱離における吸着原子効果
• 2p-T-7 レーザー誘起原子放出と表面電子状態
• 2p-T-6 レーザースパッタリングによるGaP表面低濃度欠陥の検出
• 5p-W-2 GaP表面のレーザースパッタリング : 偏光特性
• 5p-W-1 GaP表面のレーザースパッタリング : 表面状態依存性
• 31p-CK-1 ナフタリン結晶中の高エネルギー三重励起子
• 27a-D-16 n型Gapのextrinsic self trapped exciton
• 28a-ZF-2 NaCl清浄表面の電子励起による原子放出 : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
• 31a-P-4 アルカリハライドの固有発光に対するLET効果(II)
• 2p-D-9 アルカリハライドの固有発光に対するLET効果
• 30a-J-6 放射線照射によるNaCl結晶への不純物の導入
• 2p-N-2 アモルファスSiO_2における自己捕獲励起子と欠陥対
• 4a-B-8 RECONSTRUCTED ADIABATIC ENERGY SURFACES FOR SELF-TRAPPED EXCITONS
• 27p-D-10 SiO_2:Geにおける励起子緩和
• 28a-E-6 アルカリハライド中の自己捕獲励起子におけるハロゲン分子イオンの配向II
• 3a-C3-8 自己捕獲励起子最低三重項状態の断熱ポテンシャル
• 31p-S-5 1,4ジブロムナフタレン結晶における励起子間相互作用
• 2p-N-13 1, 4Dibromonaphthalene 結晶の高エネルギー三重項励起子
• 4p-E4-5 アルミニウムの透過電子スピン共鳴に対するO^+イオン注入の効果
• 29a-J-2 NaCl中の自己捕獲励起子の構造と光学的性質
• 15a-DD-3 NaBr中の自己捕獲励起子に対する共鳴ラマン散乱分光
• 28a-ZD-9 アルカリハライド中のハロゲン分子イオン中心の諸性質とその支配要因
• 27a-A-13 RbI中の自己捕獲励起子に対する共鳴ラマン散乱分光
• 31a-E-2 高密度電子励起による中性粒子放出II : 放出機構
• 31a-E-1 高密度電子励起による中性粒子放出I : 実験
• 27a-Y-7 化合物半導体のレーザー誘起脱離
• レ-ザ-刺激脱離 (表面・界面)
• 28a-Y-5 イオンと固体表面との相互作用 5.高速イオンによる表面解析
• 28a-Y-5 イオンと固体表面との相互作用 : 5. 高速イオンによる表面解析
• 3p-SH-9 100KeV領域の高分解能イオン散乱分析装置の試作
• 3a-SH-10 スパッタリング収量の半実験式
• 二重励起分光法によるイオン結晶の光化学反応(V. 励起子の格子緩和と欠陥生成,強結合電子・格子系の動的物性,科研費研究会報告)
• 吹田徳雄先生を悼む
• 1p-S-2 第9回固体内原子衝突国際会議報告II(実験)
• 31a-G-3 アルカリハライド結晶における短寿命フレンケル対による体積膨張
• 31p-P-3 Ni-Au合金薄膜の高温下でのAu原子の選択スパッタリング
• 2a-D-1 固体表面におけるイオンの非弾性散乱
• 1p-K-4 NaClにおける高励起緩和励起子の無輻射遷移過程
• 1p-K-1 アルカリ・ハライド緩和励起子におけるAuger遷移
• 第8回固体内原子衝突国際会議に出席して
• 29a-J-4 アルカリハライド結晶における三重項自己捕獲励起子とF中心生成量の相捕性
• 15a-DD-1 3光子励起によるアルカリハライド結晶中の励起子緩和
• 1a-P-5 アルカリハライド結晶における励起子 : 自己捕獲励起子複合体の格子緩和
• 5p-AE-8 ナフタリン・アントラセンにおけるラジカルイオンの励起による光伝導
• 29a-O-5 アルカリハライドの光誘起脱離の理論的考察
• 2p-N-1 酸化リチウムにおける自己捕獲励起子
• 3p-P-9 高温における空格子・格子間原子の角結合
• 26a-X-12 励起子緩和に対する磁場効果II
• 5a-W-10 励起子緩和に対する磁場効果 I
• 28a-ZD-13 GaAs中のEL2中心のフォトクエンチングのダイナミクス
• 5a-S-9 VC及びNbCのスパッタリングに対するHeイオン照射の効果
• 28p-N-1 アモルファスSiO_2における励起子緩和と構造変化
• 28a-E-7 固体における光誘起原子過程
• 29a-F-9 固体表面におけるイオンの非弾性散乱
• MeV He+イオンの表面散乱を用いた欠陥の深さ分析
• 2p GD-7 結晶表面における小角散乱を用いた欠陥の深さ分析
• 3a-C3-16 GaP,GaAsにおける電子励起誘起準安定状態
• 26a-X-13 アルカリハライドにおける自己捕獲励起子の正孔の緩和形態
• 5a-W-11 アルカリハライドの緩和励起子に対する共鳴ラマン散乱分光 III
• 2a-N-6 アルカリハライドの緩和励起子に対する共鳴ラマンン散乱分光 2
• 3a-C3-15 アモルファスSiO_2における自己捕獲励起子発光と電子励起誘起欠陥生成との相関
• 29p-E-8 SiO_2結晶における緩和励起子の二重励起効果
• 4a-B-19 紫外レーザー強励起下でのアルカリハライド結晶の励起子緩和
• 2p-C-6 半絶縁性GaAsの電子線照射による準安定中心の生成(イオン結晶・光物性)
• 3p-B2-5 アルカリハライドにおけるπ発光帯のガウス型からのずれ(イオン結晶・光物性)
• 3p-B2-6 Rbl結晶におけるEx発光(イオン結晶・光物性)
• 3p-B2-4 CaF2結晶における自己捕獲励起子の2重励起効果(イオン結晶・光物性)
• 28p-LN-10 MgF_2中の緩和励起子と二重励起効果(イオン結晶・光物性)
• 2p-C-7 SiO_2結晶における緩和励起子発光の励起スペクトル(イオン結晶・光物性)
• 28p-LN-11 SiO_2結晶における緩和励起子(イオン結晶・光物性)
• 31a-L1-3 n型GaPにおけるドナーとダブルアクセプター間の再結合発光(半導体,(深い不純物))
• 1a-F4-3 レーザー照射によるGaP表面からのGa原子放出と表面構造変化(表面・界面)
• 2p-C-8 アモルファスSiO_2における発光機構(イオン結晶・光物性)
• 2p-D3-7 Siイオンを注入したSiO_2のEPR II(磁気共鳴)
• 28a-H-6 GaP表面電子励起による構造変化(表面・界面)
• 28p-LN-6 沃化アルカリ中の高密度励起下における励起子緩和(イオン結晶・光物性)
• 29p-A-6 電子正孔再結合による欠陥生成(イオン結晶・光物性・半導体シンポジウム)
• 30p-H-7 Si(111)-Au及び-Pd系の表面近傍における各層組成分析(表面・界面)
• 30a-I-2 タングステン単結晶表面における陽子エネルギー損失の高分解能測定II(放射線物理)
• 28a-J-11 アルカリハライドにおける緩和励起子の断熱ポテンシャル(28aJ イオン結晶・光物性(局在中心,緩和励起子))
• 28a-J-10 アルカリハライドの緩和励起子に対する共鳴ラマン散乱分光 1(28aJ イオン結晶・光物性(局在中心,緩和励起子))
• 29p-F-9 イオンを注入したSiO_2のEPR III(29p F 磁気共鳴)
• 28p-J-1 アモルファスSiO_2における電子励起誘起欠陥生成(28pJ イオン結晶・光物性(局在中心,緩和励起子))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク