29a-S-4 Siイオンを注入したSiO_2の電子スピン共鳴
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1987-09-16
著者
関連論文
- 29a-J-9 アルカリ沃化物結晶における励起子緩和の温度依存性
- 28a-E-8 アルカリハライド結晶中の励起子緩和とスピン状態
- 31p-CK-3 分子内励起及び励起子衝突による1-ハイドロ・ナフチルラジカルの発光
- 31p-CK-2 ナフタリン単結晶中の複合体ラジカルの光吸収スペクトル
- 25a-F-6 イオン注入したアモルファスSiO_2の常磁性欠陥に対するHイオン二重注入の効果 II
- 30p-X-5 Siイオンを注入したアモルファスSiO_2のEPRと光吸収
- 5a-ZC-2 Siイオンを注入したアモルファスSiO_2の常磁性欠陥に対するHイオン二重注入の効果
- 29a-S-4 Siイオンを注入したSiO_2の電子スピン共鳴
- 2p-RJ-14 レーザー光照射による酸化物への不純物原子の注入
- 29a-J-8 KIの3光子共鳴励起下における励起子の超高速緩和過程
- 29a-J-3 フェムト秒領域におけるアルカリ臭化物結晶中の励起子緩和とF中心生成
- 15a-DD-2 アルカリ沃化物における励起子の自己捕獲初期過程
- 1a-P-6 アルカリ沃化物における正孔の自己捕獲初期過程
- 1a-P-2 フェムト秒領域におけるKBrのF中心生成過程 (IV)
- 28a-ZD-12 フェムト秒領域におけるKBrのF中心生成過程(III)
- 28a-ZD-11 フェムト秒領域におけるKIの自己捕獲励起子生成過程III
- 28a-ZD-10 フェムト秒領域におけるRbIの自己捕獲励起子生成過程II
- 28a-E-11 フェムト秒領域におけるKBrのF中心生成過程(II)
- 28a-E-10 フェムト秒領域におけるKIの自己捕獲励起子生成過程II
- 28a-E-9 フェムト秒領域におけるRbIの自己束縛励起子生成過程
- 27a-A-11 フェムト秒領域におけるKBrのF中心生成過程
- 27a-A-10 フェムト秒領域におけるKIの自己束縛励起子生成過程
- 27a-A-9 アルカリハライド結晶の2段階フェムト秒過渡吸収分光V
- 5a-W-12 アルカリハライド結晶の2段階フェムト秒過渡吸収分光 III
- 27p-D-19 MgF_2中の自己捕獲励起子に対する偏光分光
- 26a-X-14 アルカリハライド結晶の2段階フェムト秒過渡吸収分光IV
- 2a-N-8 アルカリハライド結晶の2段階フェムト秒過渡吸収分光 II
- 4a-B-10 アルカリハライド結晶の2段階励起フェムト秒過渡吸収分光
- 4p-TC-7 アルカリ沃化物中の一中心,及び二中心型緩和励起子
- 14p-S-13 アルカリ沃化物におけるπ発光とEx発光
- 31a GB-7 高温におけるKBr中の格子間ハロゲン中心
- 31a GB-6 ヨウ化アルカリ結晶の緩和励起子発光に対するアルカリ不純物の効果
- 31a GB-2 NaCl結晶における高励起三重項緩和励起子の項間交差
- 31p-J-8 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 31a-S-5 半導体表面上の微量欠陥からのレーザー誘起電子放出
- 30p-S-5 電子励起による半導体表面欠陥原子結合の切断
- 28p-PSB-16 Si(100)清淨表面におけるレーザー誘起Si^o原子放出の励起スペクトル
- 28a-YN-7 フェムト秒領域におけるRbCl中のF中心生成過程
- 28a-YN-6 フェムト秒分光法によるNaCl中の自己束縛励起子生成過程
- 28a-YN-5 KBr結晶中の正孔自己束縛の動的過程
- 5a-R-6 半導体におけるレーザー誘起原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-5 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 5a-R-4 Si(100)表面に吸着したSi原子からのレーザー誘起原子放出
- 2a-F-14 フェムト秒領域におけるKCl中のF中心生成過程
- 2a-F-12 CsI結晶における電子正孔対の緩和過程
- 2a-F-11 3光子励起によるアルカリハライド結晶中の励起子緩和II
- 3a-BG-5 アルカリハライド中の緩和励起子とその励起状態
- 13a-PS-52 半導体のレーザー誘起表面損傷における電子的過程
- 12a-DH-4 Si(100)清浄表面からの欠陥を媒介としたレーザー誘起原子放出
- 12a-DH-3 NaCl(100)表面からの電子励起によるNa原子放出の理論的研究
- 1a-G-2 GaP(110)におけるレーザー誘起Ga原子放出の励起スペクトル
- 1a-G-1 NaCl清浄表面の電子励起による原子放出(その3) : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
- 29p-PSB-19 表面欠陥に起因するレーザー誘起電子放出
- 28p-Z-4 化合物半導体表面の赤外自由電子レーザーによるアブレーション
- 26a-O-2 180E散乱陽子エネルギー損失分光法による表面構造解析
- 29a-S-7 高分解能陽子エネルギー損失分光法によるシリコン・金属表面反応の観察
- 29a-S-6 タングステン単結晶表面における陽子エネルギー損失の高分解能測定
- 1a-R-5 エネルギー損失の衝突径数依存性
- 3a-S-3 GaAs,GaPのレーザー照射における雰囲気の影響
- 1p-S-6 高分解能表面散乱イオン解析装置によるシリコン-金属界面反応
- 1p-A-16 アルカリ ハライドにおける一中心型自己束縛励起子の発光
- 1a-A-10 アルカリ・ハライドにおける欠陥生成と、螢光との相補性
- 5p-P-9 高分解能表面散乱イオン解析装置
- 5p-P-8 シリコン表面吸着重水素の電子励起脱離
- 5p-P-7 弾性衝突によるシリサイド生成におけるしきいエネルギー
- 2p-RL-4 ニッケル表面上の偏析不純物のイオン誘起脱離イールドII
- 2p-RL-3 イオン誘起界面反応
- 12p-L-5 レーザ光照射による光分解とトラックエッチング効果
- 11p-G-2 斜入射表面散乱プロトンの高分解能エネルギー分析
- 11p-G-1 ニッケル表面上の偏折不純物のイオン誘起脱離イールド
- 29a-SA-5 界面反応の阻止能依存性
- 30a-F-3 半導体中の重荷電粒子飛跡における電子・正孔のthermalization
- 5a-S-10 発光測定による化合物半導体中のMeVイオンのトラック構造
- 2a GD-9 イオンビーム照射発光によるアルカリハライド表面層中の不純物
- 31p GF-8 イオンビームによるCuClの高密度励起
- 4p-DQ-2 アルカリ・ハライド結晶中のイオンビームによる照射促進拡散
- 4a-DR-14 イオンビームによるCdSの高密度励起
- 29p-PS-30 半導体表面のレーザーダメージ初期過程
- 29p-PS-26 半導体表面欠陥を媒介とするレーザー誘起原子放出機構
- 27p-ZS-11 GaP(110) 表面のレーザー誘起原子放出 : アルカリ金属吸着による抑制効果
- 29p-BPS-44 レーザー誘起原子放出における表面処理の効果
- 28a-E-6 GaAs(110)表面欠陥からのレーザー誘起Ga原子放出
- 27a-R-4 レーザースパッタリングによるGaP表面アルカリ不純物の高感度測定
- 27a-R-3 GaPの表面高密度励起による原子放出 : 2次元、3次元励起の差異
- 24a-PS-15 GaP(110)表面のおける微量欠陥と吸着酸素原子との相互作用
- 5a-PS-4 飛行時間型質量分析法によるGaP表面レーザー刺激脱離の高感度測定
- 5a-PS-3 GaP表面におけるレーザー刺激脱離の温度効果
- 2a-E-3 GaP表面のレーザー刺激脱離における吸着原子効果
- 2p-T-7 レーザー誘起原子放出と表面電子状態
- 2p-T-6 レーザースパッタリングによるGaP表面低濃度欠陥の検出
- 5p-W-2 GaP表面のレーザースパッタリング : 偏光特性
- 5p-W-1 GaP表面のレーザースパッタリング : 表面状態依存性
- 31p-CK-1 ナフタリン結晶中の高エネルギー三重励起子
- 27a-D-16 n型Gapのextrinsic self trapped exciton
- 28a-ZF-2 NaCl清浄表面の電子励起による原子放出 : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
- 31a-P-4 アルカリハライドの固有発光に対するLET効果(II)
- 2p-D-9 アルカリハライドの固有発光に対するLET効果
- 30a-J-6 放射線照射によるNaCl結晶への不純物の導入
- 2p-N-2 アモルファスSiO_2における自己捕獲励起子と欠陥対
- 4a-B-8 RECONSTRUCTED ADIABATIC ENERGY SURFACES FOR SELF-TRAPPED EXCITONS