29p-PS-26 半導体表面欠陥を媒介とするレーザー誘起原子放出機構
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-03-12
著者
-
伊藤 憲昭
名大理
-
中井 靖男
名大理
-
中井 靖男
大同工業大学電気工学科
-
伊藤 憲昭
大阪工大 物理
-
中井 靖男
名大理物理
-
服部 賢
名大理
-
Ong C.K.
Singapore大
-
Khoo G.S.
Singapore大
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