服部 賢 | 名大理
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概要
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服部 賢
名大理
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大同工業大学電気工学科
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筑波大・物工
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東京大学大学院理学系研究科生物科学専攻人類学教室:筑波大学
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名大工
著作論文
- 29p-PS-30 半導体表面のレーザーダメージ初期過程
- 29p-PS-26 半導体表面欠陥を媒介とするレーザー誘起原子放出機構
- 27p-ZS-12 GaAs(110)表面におけるレーザ誘起原子放出の励起スペクトル
- 27p-ZS-11 GaP(110) 表面のレーザー誘起原子放出 : アルカリ金属吸着による抑制効果
- 29p-BPS-44 レーザー誘起原子放出における表面処理の効果
- 28a-E-6 GaAs(110)表面欠陥からのレーザー誘起Ga原子放出
- 28a-E-5 GaP(110)表面のレーザー刺激脱離 : 励起波長依存性
- 27a-R-4 レーザースパッタリングによるGaP表面アルカリ不純物の高感度測定
- 27a-R-3 GaPの表面高密度励起による原子放出 : 2次元、3次元励起の差異
- 24a-PS-15 GaP(110)表面のおける微量欠陥と吸着酸素原子との相互作用
- 5a-PS-4 飛行時間型質量分析法によるGaP表面レーザー刺激脱離の高感度測定
- 5a-PS-3 GaP表面におけるレーザー刺激脱離の温度効果
- 2a-E-3 GaP表面のレーザー刺激脱離における吸着原子効果
- 2a-E-2 レーザー刺激脱離による半導体表面欠陥のキャラクタリゼーション
- 2p-T-7 レーザー誘起原子放出と表面電子状態
- 2p-T-6 レーザースパッタリングによるGaP表面低濃度欠陥の検出
- 2p-N-5 化学物半導体表面の高密度電子励起による原子放出-実験
- 5p-W-2 GaP表面のレーザースパッタリング : 偏光特性
- 5p-W-1 GaP表面のレーザースパッタリング : 表面状態依存性
- 29a-O-4 レーザー誘起GaP表面原子放出の共鳴イオン化法による測定
- 1a-F4-3 レーザー照射によるGaP表面からのGa原子放出と表面構造変化(表面・界面)