石川 憲一 | 名大理
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概要
関連著者
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石川 憲一
阪大産研
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石川 憲一
名大理
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金崎 順一
名大理
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中井 靖男
大同工業大学電気工学科
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中井 靖男
名大理物理
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伊藤 憲昭
名大理
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中井 靖男
名大理
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伊藤 憲昭
大阪工大 物理
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谷村 克己
名大理
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伊藤 憲昭
大阪工業大学物理研究室
著作論文
- 29p-Z-20 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 1
- 31p-J-8 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 31a-S-5 半導体表面上の微量欠陥からのレーザー誘起電子放出
- 5a-R-5 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 12a-DH-4 Si(100)清浄表面からの欠陥を媒介としたレーザー誘起原子放出
- 29p-PSB-19 表面欠陥に起因するレーザー誘起電子放出
- 28a-E-6 GaAs(110)表面欠陥からのレーザー誘起Ga原子放出
- 25pTA-9 レーザー照射による新表面構造の探索
- 1a-YA-1 フェムト秒レーザーを用いたSi(111)-7x7表面での光誘起原子放出過程
- 3a-Y-6 半導体表面における光誘起構造変化3