伊藤 憲昭 | 大阪工業大学物理研究室
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概要
関連著者
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伊藤 憲昭
大阪工業大学物理研究室
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伊藤 憲昭
大阪工大 物理
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伊藤 憲昭
名大理
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中井 靖男
名大理
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中井 靖男
大同工業大学電気工学科
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中井 靖男
名大理物理
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金崎 順一
名大理
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岡野 晃子
日本電子株式会社内新技術事業団高柳プロジェクト
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谷村 克己
名大理
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石川 憲一
阪大産研
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岡野 晃子
名大理
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杉山 輝和
名大理
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鈴木 智雄
名大理
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石川 憲一
名大理
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伊藤 憲昭
大阪工業大学情報科学部
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劉 仁根
名大理
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石川 憲一
名大 理
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金崎 順一
名大 理
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谷村 克己
名大 理
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伊藤 憲昭
名古屋大学工学部結晶材料工学教室
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岩井 伸一郎
物質研
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谷村 克己
阪大産研
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藤原 弘康
東大院理
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中井 靖男
名大・理
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岩井 伸一郎
名大工名大理
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中村 新男
名大工名大理
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谷村 克巳
名大工名大理
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伊藤 憲昭
名大工名大理
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伊藤 憲昭
大阪工大
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石田 孝宏
名大 理
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中井 靖男
大同工大 電気工
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中井 靖男
大同工大電気工
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伊藤 憲昭
大阪工大物理
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金崎 順一
名古屋大学理学部物理教室
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山田 雅史
名大理
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金崎 順一
名大・理
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岡野 晃子
名大・理
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劉 仁根
Rutgers University
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伊藤 憲昭
名大・理
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Wu Zhen
Rutgers University
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藤原 弘康
名大理
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山田 健治
名大理
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Singh Jai
Northern Territory Univ.
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伊藤 稔
信州大理
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石田 孝宏
名大理
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中井 靖男
大同工業大学
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伊藤 憲昭
名古屋大学・理学部
著作論文
- 30p-YL-7 アルカリハライド結晶における正孔、電子-正孔対の自己捕獲過程
- 31p-PSB-47 Si(111)-7x7表面におけるレーザー誘起原子放出 : 放出原子の速度分布
- 29p-Z-21 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 2
- 29p-Z-20 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 1
- 固体の電子励起による大きな原子移動
- レーザー・ビームと非金属固体表面との相互作用
- 31p-J-8 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 31a-S-5 半導体表面上の微量欠陥からのレーザー誘起電子放出
- 30p-S-5 電子励起による半導体表面欠陥原子結合の切断
- 28p-PSB-17 レーザー照射によるSi(100)表面からのSi^o原子放出とSi^+イオン放出との比較
- 28p-PSB-16 Si(100)清淨表面におけるレーザー誘起Si^o原子放出の励起スペクトル
- 28a-YN-7 フェムト秒領域におけるRbCl中のF中心生成過程
- 28a-YN-6 フェムト秒分光法によるNaCl中の自己束縛励起子生成過程
- 28a-YN-5 KBr結晶中の正孔自己束縛の動的過程
- 5a-R-6 半導体におけるレーザー誘起原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-5 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 5a-R-4 Si(100)表面に吸着したSi原子からのレーザー誘起原子放出
- 2a-F-14 フェムト秒領域におけるKCl中のF中心生成過程
- 2a-F-12 CsI結晶における電子正孔対の緩和過程
- 2a-F-11 3光子励起によるアルカリハライド結晶中の励起子緩和II
- イオン結晶における電子励起による欠陥生成
- はじき出しを起こさない固体内衝突による照射効果
- 26p-J-1 電子励起による固体の局所的構造変化