金崎 順一 | 名大理
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概要
関連著者
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金崎 順一
名大理
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三笠 典章
名古屋大学大学院・理学研究科
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三笠 典章
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三笠 典昭
名大理
著作論文
- 29p-Z-20 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 1
- 31p-J-8 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 31a-S-5 半導体表面上の微量欠陥からのレーザー誘起電子放出
- 30p-S-5 電子励起による半導体表面欠陥原子結合の切断
- 28p-PSB-16 Si(100)清淨表面におけるレーザー誘起Si^o原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-6 半導体におけるレーザー誘起原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-5 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 5a-R-4 Si(100)表面に吸着したSi原子からのレーザー誘起原子放出
- 13a-PS-52 半導体のレーザー誘起表面損傷における電子的過程
- 12a-DH-4 Si(100)清浄表面からの欠陥を媒介としたレーザー誘起原子放出
- 29p-PSB-19 表面欠陥に起因するレーザー誘起電子放出
- Si(001)2x1表面における光誘起構造変化I : STMによる構造変化の観察
- Si(001)2x1表面におけ光誘起構造変化 : レーザー誘起原子放出
- 26a-O-2 180E散乱陽子エネルギー損失分光法による表面構造解析
- 27p-ZS-11 GaP(110) 表面のレーザー誘起原子放出 : アルカリ金属吸着による抑制効果
- 28a-E-6 GaAs(110)表面欠陥からのレーザー誘起Ga原子放出
- 24a-PS-15 GaP(110)表面のおける微量欠陥と吸着酸素原子との相互作用
- 2a-E-3 GaP表面のレーザー刺激脱離における吸着原子効果
- 8p-H-10 Si(111)7x7表面における紫外パルスレーザーによるSi原子放出
- 28a-F-1 フェムト秒レーザーを用いたSi(111)7x7表面での光誘起原子放出機構III
- 29p-YE-5 表画における光誘起構造変化 : 電子励起・構造変化・原子放出
- フェムト秒レーザーを用いたSi(111)7x7表面での光誘起原子放出機構II
- 25pY-4 Si(111)2x1表面の光励起による構造変化 I
- 1a-YA-1 フェムト秒レーザーを用いたSi(111)-7x7表面での光誘起原子放出過程
- 3a-Y-6 半導体表面における光誘起構造変化3
- 30a-YE-5 InP(001)表面における光誘起原子放出
- 28p-ZG-6 半導体表面上の擬1次元非金属原子鎖における光誘起構造変化I